&n🜰bsp 湾湾🖦🔹不是中国大陆，它没有受到欧美的技术封锁，台积电的芯片制造设备和英特尔的芯片制造👷🍝🉄设备没有什么代差。
之所以工艺制程差了整整一代，是因为最新的铜互联工艺还没有取得突破，当然还有其它🎼🖘方面的原因，整个芯片制程有上千道工序，各个芯片厂家都有自己的拿手技🍲术，这一点，英特尔公司肯定要比新生的台积电强上不止一筹。
&nbs♦📏p 在铜互联工艺以前，大家都是铝互联工艺，可是铝互联工艺到了05微米制程时，就基本达到了技🐿术瓶颈，再也无法突破。
这事要说清楚很复杂，总之是铝材料本身的性质决定了铝线带宽以⛶🞷😱及时钟频率。
大家都知道🝲铝的电阻是2🂺📺☐8μΩ，而铜的电阻是17μΩ，这就使得铜导线可以做得更薄更窄，相应的就提高了单位面积内晶体管的容量。
&nbs🎲🔽🆂p 这就是05微米制程工艺向05微米制程工艺跨进的一个技术背景。
铜互联工艺是ib公司发明的，🗇但是他🀼🂋们现在也只做到实验室验证的水平，并没🏫🝅🈭有真正实用。
正因为如此，ib公司在94年就大肆向其他晶圆企业兜售他们这种并不成🜩熟的铜互联技术。
&nbs🎲🔽🆂p 其中也向台积电兜售了，但是当时台积电可能是资金短缺的原因，没有出钱买，倒是同为晶圆代工企业的台联电出资购买了。
&n💢📤bsp 九十年代的台积电因为技术实力不够雄厚，倒致制程工艺比英特尔低了一个级别。
这使得他们只能代工一些低端工艺的芯片，利🌢润非常微薄，总之，这个时候的台积电还在苦苦挣扎，还没有一飞冲天。
铜互联技术，原理很简单，看起来好像就是把铝换成铜这样简单，其实不是🜩那么容易。
其🚳🗙中最大的问题就是铜不与晶体管相粘，就是这个简单的问题难住了所有的晶圆企业。
要知道芯片内部是非常非常的🐶🄖♊精密，在我们人眼看不到的内部，如果用一千倍的电子显微镜观看，里面的晶体🗡🝆🈸管与金属电路，是纵横交🝶错，密密麻麻。
特别是金属🝲电路，不是一层那么简单，而是多达两三层。